- Kynning á frumum
(1) Yfirlit:Frumur eru kjarnaþættir íljósvirkjun, og tæknileg leið þeirra og vinnslustig hafa bein áhrif á orkuframleiðsluskilvirkni og endingartíma ljósvakaeininga.Ljósvökvafrumur eru staðsettar í miðhluta ljósvakaiðnaðarkeðjunnar.Þetta eru þunn hálfleiðaraplötur sem geta umbreytt ljósorku sólar í raforku sem fæst með því að vinna ein-/fjölkristallaðar kísilskífur.
Meginreglan umljósvirkjunkemur frá ljósrafmagnsáhrifum hálfleiðara.Með lýsingu myndast hugsanlegur munur milli mismunandi hluta í einsleitum hálfleiðurum eða hálfleiðurum ásamt málmum.Það er breytt úr ljóseindum (ljósbylgjum) í rafeindir og ljósorku í raforku til að mynda spennu.og núverandi ferli.Kísilplöturnar sem framleiddar eru í uppstreymistengingunni geta ekki leitt rafmagn og unnar sólarsellur ákvarða orkuframleiðslugetu ljósvakaeininga.
(2) Flokkun:Frá sjónarhóli undirlagsgerðarinnar er hægt að skipta frumum í tvær tegundir:P-gerð frumur og N-gerð frumur.Lyfjabór í sílikonkristöllum getur gert P-gerð hálfleiðara;doping fosfór getur gert N-gerð hálfleiðara.Hráefnið í P-gerð rafhlöðu er P-gerð kísilskífa (bætt með bór) og hráefni N-gerð rafhlöðu er N-gerð kísilskífa (bætt með fosfór).P-gerð frumur innihalda aðallega BSF (hefðbundnar baksviðsfrumur úr áli) og PERC (aðgerðalaus sendir og aftari frumur);N-gerð frumur eru nú almennari tækniTOPCon(göng oxíð lag passivation contact) og HJT (innri þunn filmu Hetero mótum).N-gerð rafhlaðan leiðir raforku í gegnum rafeindir og ljósvökvadeyfingin af völdum bór-súrefnisatómaparsins er minni, þannig að skilvirkni ljósafmagnsbreytingarinnar er meiri.
3. Kynning á PERC rafhlöðu
(1) Yfirlit: Fullt nafn PERC rafhlöðunnar er „emitter and back passivation battery“, sem er náttúrulega dregið af AL-BSF uppbyggingu hefðbundinnar ál baksviðs rafhlöðu.Frá byggingarsjónarmiði eru þessir tveir tiltölulega líkir og PERC rafhlaðan hefur aðeins eitt meira afturvirkingslag en BSF rafhlaðan (fyrri kynslóð rafhlöðutækni).Myndun aftari passivation stafla gerir PERC klefanum kleift að draga úr endurröðunarhraða bakyfirborðsins á sama tíma og endurkast ljóss bakflötsins bætir og bætir umbreytingarskilvirkni frumunnar.
(2) Þróunarsaga: Frá árinu 2015 hafa innlendar PERC rafhlöður farið inn í örum vexti.Árið 2015 náði innlend framleiðslugeta PERC rafhlöðu í fyrsta sæti í heiminum og nam 35% af alþjóðlegri framleiðslugetu PERC rafhlöðu.Árið 2016 leiddi „Photovoltaic Top Runner Program“ sem innleitt var af orkumálastofnuninni opinberri byrjun á iðnvæddri fjöldaframleiðslu á PERC frumum í Kína, með meðalnýtni upp á 20,5%.Árið 2017 eru tímamót fyrir markaðshlutdeild áljósafrumur.Markaðshlutdeild hefðbundinna frumna fór að minnka.Innlend PERC frumumarkaðshlutdeild jókst í 15% og framleiðslugeta hennar hefur aukist í 28,9GW;
Síðan 2018 hafa PERC rafhlöður orðið aðalstraumurinn á markaðnum.Árið 2019 mun umfangsmikil fjöldaframleiðsla PERC frumna hraða, með fjöldaframleiðsluhagkvæmni upp á 22,3%, sem er meira en 50% af framleiðslugetu, og mun opinberlega fara fram úr BSF frumum til að verða almennasta ljósafrumatækni.Samkvæmt áætlunum CPIA, árið 2022, mun massaframleiðsluskilvirkni PERC frumna ná 23,3% og framleiðslugetan mun nema meira en 80% og markaðshlutdeildin mun enn vera í fyrsta sæti.
4. TOPCon rafhlaða
(1) Lýsing:TOPCon rafhlaða, þ.e. göng oxíð lag passivation snertiflötur, er útbúinn á bakhlið rafhlöðunnar með ofurþunnu göng oxíð lagi og lag af mjög dópuðu pólýkísil þunnu lagi, sem saman mynda passivation snertibyggingu.Árið 2013 var það lagt til af Fraunhofer stofnuninni í Þýskalandi.Í samanburði við PERC frumur er ein að nota n-gerð sílikon sem undirlag.Í samanburði við p-gerð kísilfrumur hefur n-gerð kísill lengri líftíma minnihluta burðarefnis, mikla umbreytingarvirkni og veikt ljós.Annað er að útbúa passiveringslag (ofur-þunnt kísiloxíð SiO2 og dópað pólýkísil þunnt lag Poly-Si) á bakhliðinni til að mynda snertiaðgerðarbyggingu sem einangrar dópað svæðið algjörlega frá málmnum, sem getur minnkað bakið enn frekar yfirborð.Líkur á endursamsetningu minnihluta burðarbera milli yfirborðs og málms bæta umbreytingarskilvirkni rafhlöðunnar.
Birtingartími: 29. ágúst 2023